意法半導體新推出的SLLIMM™-nano智能(néng)功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器件，加快(kuài)300W以下(xià)低(dī)功率電機驅動器研發，簡化組裝過程。

3A和(hé)5A 模塊內(nèi)置當前*********的600V超結MOSFET，最大限度提升空氣壓縮機、風(fēng)扇、泵等設備的能(néng)效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有助于優化空間(jiān)占用率，确保所需的引腳間(jiān)距。內(nèi)部開(kāi)孔選項讓低(dī)價散熱(rè)器的安裝更容易。此外(wài)，發射極開(kāi)路輸出分開(kāi)設計可(kě)簡化PCB闆單路或三路Shunt (分流電阻)電流監視(shì)走線。

每個IPM模塊都(dōu)包含由六支MOSFET組成的三相半橋和(hé)一(yī)個高壓栅驅動芯片。新增功能(néng)有助于簡化保護電路和(hé)防錯電路設計，包括一(yī)個用于檢測電流的未使用的運放、用于高速錯誤保護電路的比較器和(hé)用于監視(shì)溫度的可(kě)選的NTC (負溫度系數(shù))熱(rè)敏電阻，還集成一(yī)個自(zì)舉二極管，以降低(dī)物(wù)料清單(BOM)成本，簡化電路闆布局設計。智能(néng)關斷電路可(kě)保護功率開(kāi)關管，欠壓鎖保護(UVLO)預防低(dī)Vcc或Vboot電壓引起的功能(néng)失效。

超結MOSFET在25°C時(shí)通(tōng)态電阻隻有1.0Ω，最大 1.6Ω ，低(dī)電容和(hé)低(dī)栅電荷可(kě)最大限度降低(dī)通(tōng)态損耗和(hé)開(kāi)關損耗，從(cóng)而提升20kHz以下(xià)硬開(kāi)關電路的能(néng)效，包括各種工(gōng)業電機驅動器，準許低(dī)功率應用無需使用散熱(rè)器。此外(wài)，優化的開(kāi)關di/dt和(hé)dV/dt上(shàng)升速率确保EMI幹擾處于一(yī)個較低(dī)的級别，可(kě)以進一(yī)步簡化電路的設計布局。

新模塊的最高額定結溫是150°C，取得了(le)UL 1557認證，電絕緣級别高達1500Vrms/min。